在理解PN结、二极管、光敏二极管的基础上理解三极管会更加自然。

Ube》0.5，发射结内电场减小，发射区电子进入基区，形成发射结电流，基区电子增多，这部分对应PN结正向特性。cb之间加上反向电压，增加集电结内电场，一部分进入基区的电子经过扩散再由集电结内电场抽到集电区，形成集电结电流，这部分对应PN结反向截止特性。还有一部分电子形成基极电流。如果在cb之间加上正向电压，为了能把基区电子抽到集电区，集电结内电场须存在，集电结正偏的电压不能超过0.5。

Ueb》0.5，发射结导通，发射区空穴进入基区，形成发射结电流。在cb之间加上反向电压，增加集电结内电场，进入基区的空穴抽到集电区，形成集电结电流。还有一部分空穴形成基极电流。如果在cb之间加上正向电压，为了能把基区空穴抽到集电区，集电结内电场须存在，集电结正偏的电压不能超过0.5。

正常情况下PN结反向截止电流很小，集电结几乎无电流。当发射结导通，大量电子（空穴）注入基区，使基区的少子变多，导电性能增加，所以集电结反偏也有大电流。如光敏二极管，光照时产生大量电子空穴对，使少子增加，PN结反偏电流变大；而三极管则是直接把发射区的电子（空穴）注入基区增加少子。